МЭМС-переключатели как альтернатива традиционным компонентам СВЧ
С ростом рабочих частот и мощностей сигналов использование таких традиционных переключательных СВЧ-компонентов, как PIN-диоды и полевые транзисторы, становится проблематичным. Альтернативным решением проблемы может быть применение МЭМС-переключателей. За прошедшие годы их технологии были значительно усовершенствованы, и теперь они представляют собой достаточно надежные компоненты, перспективные не только для коммерческих, но и для ответственных применений.
Эволюция технологий СВЧ-переключателей
Работающие в сфере СВЧ-электроники инженеры всегда нуждались в переключателях, вносящих низкие потери в открытом состоянии и обеспечивающих высокую изоляцию в закрытом состоянии, с высокой допустимой мощностью сигнала и низкой мощностью управления. Первыми переключателями, наиболее полно отвечающими поставленным требованиям, стали электромагнитные реле. После долгих лет совершенствования современные высокочастотные реле обеспечивают низкие потери сигнала во включенном и высокую изоляцию в выключенном состоянии, но им присущи такие недостатки, как большие габариты, высокая стоимость и ограниченный ресурс (от сотен тысяч до десятков миллионов циклов).
Переключатели на PIN-диодах и полевых транзисторах (ПТ) на основе GaAs имеют перед высокочастотными реле ряд преимуществ, заключающихся в высокой скорости срабатывания, малых габаритах и весе, а также низкой мощности управления. Но они вносят в тракт более высокие потери и потому в ряде приложений не могут заменить электромеханические переключатели. Дальнейшие поиски привели к разработке высокочастотных переключателей на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС), объединивших некоторые достоинства полупроводниковых и релейных устройств.
Основы технологии МЭМС-переключателей
МЭМС появились в 1970‑е годы как датчики давления, температуры, акселерометры, газовые хроматографы и другие аналогичные приборы. МЭМС изготавливаются методом локального вытравливания подложки (чаще всего кремниевой) и нанесением на образованные конструкции проводящих и диэлектрических материалов. Современные технологии позволяют формировать на подложке не только достаточно сложные механические конструкции размером в единицы или десятки микрон, но и такие электромеханические компоненты, как резонаторы, фильтры, многопозиционные переключатели, управляемые конденсаторы и катушки индуктивности, и это далеко не полный перечень. Первые сообщения о МЭМС-переключателях, разработанных специально для СВЧ-приложений, относятся к началу 1990‑х годов.
Конструктивные особенности
Рис. 1. МЭМС-переключатели:
а) кантилевер с резистивным контактом;
б) мембрана с емкостным контактом.
Подвижная часть МЭМС-переключателя — актюатор — выполняется или в виде закрепленного с одной стороны кантилевера (от англ. cantilever — «кронштейн», «консоль») (рис. 1а), или закрепленной по краям мембраны (рис. 1б). Привод актюатора может быть электростатическим (емкостным), пьезоэлектрическим, электромагнитным или термоэлектрическим. Чаще всего используется электростатический привод.
Принципы работы различных типов приводов
В случае электростатического привода на актюаторе и подложке располагаются электроды, на которые подается управляющее напряжение. Под его действием актюатор притягивается к подложке, что вызывает срабатывание переключателя. На актюатор с пьезоэлектрическим приводом наносятся управляющие электроды, разделенные слоем пьезоэлектрика. Подача на них управляющего напряжения вызывает изгиб актюатора и срабатывание переключателя. Оба этих привода потребляют небольшую электрическую мощность только в момент срабатывания и ничего не потребляют в стационарном режиме.
Достоинство пьезоэлектрического привода заключается в том, что реверсом управляющего напряжения можно разомкнуть «залипшие» (подвергшиеся микросварке при переключении мощного сигнала) контакты МЭМС-переключателя, а недостаток — в том, что на актюатор надо наносить дополнительное покрытие, что усложняет технологический цикл и требует дополнительного оборудования.
В МЭМС-переключателях с электромагнитным приводом актюатор перемещается за счет магнитного поля, возникающего при протекании тока через управляющий элемент переключателя. Часто таким элементом является нанесенная на подложку планарная катушка индуктивности. Термоэлектрические приводы МЭМС-переключателей используют или просто тепловое расширение актюатора при прохождении управляющего электрического тока, или различие коэффициентов теплового расширения входящих в актюатор материалов. Эти типы приводов могут создавать значительные механические усилия на контактах МЭМС-переключателя, что позволяет переключать сигналы более высокой мощности, но имеют большое время срабатывания и потребляют энергию во включенном состоянии. Электромагнитный и термоэлектрический приводы не получили такого широкого распространения, как электростатический и пьезоэлектрический.
Типы и характеристики контактов
Контакты МЭМС-переключателей бывают двух видов: резистивные «металл–металл» (рис. 1а) и емкостные «металл–диэлектрик–металл» (рис. 1б). Резистивные контакты характеризуются сопротивлением в открытом состоянии Rвкл, которое обычно составляет доли ома, и емкостью в закрытом состоянии Cвыкл, типовое значение которой — единицы фемтофарад. Переключатель с емкостными контактами представляет собой дискретно перестраиваемый конденсатор, причем отношение емкостей во включенном и выключенном состоянии Свкл/Свыкл может достигать 100. Эти переключатели имеют очень малые потери на высоких частотах (0,1 дБ на 40 ГГц) и высокую линейность (более 66 дБм). Их управляющее напряжение может быть снижено, поскольку нет необходимости в большом прижимном усилии актюатора для обеспечения низкого сопротивления контакта. Контактные поверхности должны быть гладкими, т. к. возможные зазоры между ними значительно снижают отношение емкостей Свкл/Свыкл.
Преимущества МЭМС-переключателей
К основным достоинствам МЭМС-переключателей относятся:
- Очень высокий показатель качества FoM (Figure of Merit). Он рассчитывается по формуле FoM = 1/2πRвклCвыкл, где Rвкл — сопротивление замкнутых контактов, а Cвыкл — емкость разомкнутых. Он соответствует частоте, на которой реактивное сопротивление емкости разомкнутых контактов становится равным активному сопротивлению замкнутых и переключатель перестает управлять уровнем сигнала. Для МЭМС-переключателей FoM составляет 10–20 ТГц, в то время как для полупроводниковых — 250–500 ГГц.
- Очень высокая линейность. Типичный уровень IP3 для контакта «металл–металл» у МЭМС-переключателей более 75 дБм, а IP2 более 120 дБм. Уровень второй и третьей гармоник при мощности сигнала 20 дБм обычно — 90 дБн. Уровень интермодуляционных продуктов МЭМС-переключателей примерно на 30 дБ ниже, чем у PIN-диодов или ПТ.
- Очень малое энергопотребление. МЭМС-переключатели с электростатическим или пьезоэлектрическим приводами потребляют энергию 10–100 нДж при срабатывании и ничего не потребляют в стационарном режиме.
- МЭМС-переключатели могут формироваться на различных подложках, например на кварцевых или стеклянных — для обеспечения ультранизких емкостей, на кремниевых — для сопряжения с микросхемами, на подложках из GaAs или GaN — для сопряжения с СВЧ-транзисторами.
- Высокая радиационная стойкость.
- Низкая стоимость при условии массового производства.
Ограничения и недостатки
Вместе с тем МЭМС-переключатели имеют ряд недостатков:
- Высокое напряжение управления, составляющее иногда десятки вольт. Такое напряжение не проблема для стационарной аппаратуры, но для мобильной может потребоваться DC/DC-преобразователь, потребляющий 50–200 мкВт.
- По сравнению с полупроводниковыми переключателями, у них относительно большое время срабатывания, обычно до 100 мкс. Чем ниже управляющее напряжение, тем больше время срабатывания.
- Ограниченный ресурс. МЭМС-переключатели выдерживают до 100 млрд циклов переключения, но ограничение принципиально остается, поскольку в них есть движущиеся механические детали. Нет данных о долгосрочной (в течение нескольких лет) надежности МЭМС.
- Необходимость герметизации. МЭМС-переключатели должны быть загерметизированы в атмосфере инертного газа. Герметизация технологически сложна, она существенно влияет на надежность и стоимость переключателя.
Сравнение основных технических параметров МЭМС-переключателей с параметрами полупроводниковых переключателей на PIN-диодах и ПТ приведено в табл. 1.
Таблица 1. Главные параметры электронных переключателей
Параметр |
МЭМС |
PIN-диод |
ПТ |
Статическое напряжение управления, В |
5–80 |
3–5 |
3–5 |
Статический ток управления, мА |
0 |
3–20 |
0 |
Динамическая мощность управления, мВт |
0,05–0,1 |
5–100 |
0,05–0,1 |
Время переключения, нс |
1000–300 000 |
1–100 |
1–100 |
Емкость, фФ |
1–6 |
40–80 |
70–140 |
Сопротивление, Ом |
0,3–2 |
2–4 |
4–6 |
Отношение емкостей вкл./выкл. |
20–100 |
10 |
— |
Предельная частота, ТГц |
20–80 |
1–4 |
0,5–2 |
Изоляция на частоте 1–10 ГГц |
Очень высокая |
Высокая |
Средняя |
Изоляция на частоте 10–40 ГГц |
Очень высокая |
Средняя |
Низкая |
Изоляция на частоте 60–100 ГГц |
Высокая |
Средняя |
Плохая |
История коммерциализации и основные производители
При кажущейся простоте устройства МЭМС-переключатель очень сложен в разработке и изготовлении. Пионерами работ по созданию МЭМС-переключателей стали такие фирмы, как Analog Devices, Radant MEMS, Teledyne Scientific, HRL, Motorola, IBM и Teravicta. Всего до 2010‑х гг. в работе над МЭМС-переключателями приняли участие около 25 фирм и лабораторий со всего мира, но их попытки создать коммерческие МЭМС-переключатели оказались тщетными по ряду причин, в частности из-за того, что переключатели не были корпусированы.
Прорыв Omron
Рис. 2. Примеры промышленного исполнения МЭМС-переключателей:
а) модель 2SMES-01 производства компании Omron, использующая электростатический привод;
б) переключатель фирмы Advantest на основе пьезоэлектрического привода.
Первой успешной компанией оказалась японская Omron, выпустившая в 2009 г. корпусированный переключатель 2SMES‑01 (рис. 2а), на практике показавший высокие параметры. Второй стала в 2012 г. также японская компания Advantest, которая разработала МЭМС-переключатель с пьезоэлектрическим приводом и управляющим напряжением 12 В (рис. 2б).
Технологические вызовы
Однако довести свои проекты до коммерциализации удалось лишь немногим фирмам из-за ряда возникающих при разработке проблем:
- Механические напряжения в конструкции. Актюатор должен передавать на контакты усилие 100–1000 мкН, преодолевая как остаточные производственные, так и возникающие при эксплуатации переключателя в широком диапазоне температур механические напряжения элементов конструкции.
- Герметизация. Надежно работать может только правильно герметизированный МЭМС-переключатель. Герметизация проводится при относительно высоких температурах (+280…+500°С) после чистки и заполнения объема переключателя азотом или аргоном. Переключатель должен выдерживать эти температуры без деформации или размягчения корпуса.
- Выбор материалов. Для контактов предпочтительны материалы с высоким коэффициентом жесткости, поскольку у них низкая адгезия. Но жесткие материалы требуют довольно большого усилия (более 400 мкН) для обеспечения низкого сопротивления контакта. Для контактов широко используется рутений и такие сплавы золота, как AuNi и AuCo. Чистое золото, обеспечивающее низкое сопротивление при малом усилии на контактах, практически не используется, т. к. оно слишком мягкое, имеет высокую адгезию и низкую температуру плавления.
- Неконтролируемые электростатические заряды. В конструкции актюатора диэлектрические материалы должны использоваться в минимальном объеме для снижения неконтролируемых электростатических сил.
- Эффект ползучести. Металлические актюаторы подвержены деформации из-за ползучести материала. При длительном включении снижается жесткость пружины актюатора, в результате переключатель может отказать.
- Обеспечение высокочастотных свойств. Подложка, корпус, контакты проектируются так, чтобы обеспечить минимальные потери СВЧ-сигнала и максимальную изоляцию, для этого необходимо компьютерное моделирование.
Успешные коммерческие реализации
Переключатель Omron 2SMES-01
В качестве примера можно привести уже упоминавшийся МЭМС-переключатель 2SMES‑01 фирмы Omron. Мембрана этого переключателя выполнялась по технологии «кремний на изоляторе» (SoI) и не имела характерной для металлов ползучести. Герметизация на уровне пластины проводилась при температуре +500°С по технологии спекания стекла (рис. 3). Для формирования SPDT-переключателя в керамическом SMD-корпусе размещались два МЭМС-переключателя. На частоте 10 ГГц вносимые потери составляли менее 1 дБ, а изоляция — более 40 дБ.
Рис. 3. МЭМС-переключатель фирмы Omron с герметизированной стеклянной пластиной
Результаты испытаний надежности
Ресурс переключателя проверялся в двух режимах:
- В режиме «холодной» коммутации (без сигнала во время переключения);
- В режиме «горячей» коммутации (без отключения сигнала).
В режиме «холодной» коммутации 2SMES‑01 выдерживали:
- 1 млрд циклов при уровне сигнала 10 мВт;
- 100 млн циклов при уровне сигнала до 5 Вт.
В режиме «горячей» коммутации:
- 100 млн циклов при мощности сигнала до 300 мВт;
- 50 млн циклов при мощности сигнала 500 мВт;
- 5 млн циклов при мощности 1 Вт.
Все испытания проводились на частоте сигнала 2 ГГц. Переключатели продемонстрировали также очень высокую линейность с IP3 более 72 дБм и IP2 более 120 дБм. Вторая и третья гармоники были менее –100 дБн и –90 дБн соответственно при мощности сигнала 20 дБм на частоте 2 ГГц.
Продукция Radant MEMS
Фирма Radant MEMS выпускает несколько моделей МЭМС-переключателей структуры SPST:
- RMSW200HP и RMSW201 для диапазона частот 0–40 ГГц;
- RMSW100HP для диапазона 0–12 ГГц.
Рис. 4. МЭМС-переключатель фирмы Radant MEMS с герметизированной пластиной
Переключатели изготавливаются на подложке из высокоомного кремния (рис. 4) и герметизируются спеканием стекла при температуре +500°С. Они предназначаются для монтажа на плату разваркой микропроводников. Основные характеристики:
- Сопротивление замкнутых контактов не более 1 Ом;
- Емкость разомкнутых контактов около 20 фФ;
- Управляющее напряжение 40–90 В.
Характеристики моделей:
- RMSW200HP: потери не более 0,2 дБ на 2 ГГц и 0,5 дБ до 38 ГГц, изоляция не менее 20 дБ на 10 ГГц и 13 дБ на 40 ГГц;
- RMSW201: изоляция 23 дБ на 10 ГГц и 18 дБ на 36 ГГц;
- RMSW100HP: потери 0,15 дБ на 2 ГГц, 0,18 дБ на 4 ГГц и 0,24 дБ на 10 ГГц, изоляция 25 дБ на 2 ГГц и 20 дБ на 10 ГГц.
Развитие технологий герметизации
Как видно из рассмотрения рис. 3 и 4, переключатели фирм Omron и Radant MEMS герметизируются наложением пластин одна на другую (wafer-to-wafer): сначала на несущей подложке изготавливается сам переключатель, а затем на него накладывается герметизирующая пластина.
Позже была разработана технология герметизации на уровне пластины (wafer-level), заключающаяся в формировании над переключателем герметичного купола нанесением слоев металла или диэлектрика (рис. 5). Эта технология позволяет снизить габариты и стоимость МЭМС-переключателя, поскольку герметизация выполняется одновременно с его изготовлением и не требует дополнительной пластины. Сегодня эта технология успешно применяется рядом фирм, в частности RFMD и MEMtronics.
Рис. 5. Герметизация МЭМС защитным куполом
Проблема ресурса и ее решение
Одной из проблем МЭМС-переключателей был и отчасти остается их ресурс, зависящий от переключаемой мощности. В начале 2000‑х гг. ресурс составлял:
- 10 млрд циклов при токе 2 мА;
- 1000 циклов при токе 20 мА;
- 10 циклов при токе 300 мА.
Сегодня надежность существенно повысилась:
- 100 млрд циклов в «холодном» режиме;
- 1 млрд циклов при коммутируемом токе 500 мА.
МЭМС-переключатели с емкостными контактами демонстрируют более высокую износостойкость, выдерживая миллиард циклов срабатывания в «горячем» режиме при мощности сигнала 5 Вт.
Повышение надежности при "горячей" коммутации
Рис. 6. Схема ограничения уровня сигнала в момент срабатывания МЭМС-переключателя
Для управления уровнем сигнала можно использовать схему ограничения на двух диодах (рис. 6). В момент срабатывания МЭМС-переключателя на диоды подается нулевое напряжение, в этом случае они ограничивают сигнал на уровне ±0,5 В. В остальное время для предотвращения ограничения сигнала диоды надо запереть напряжениями, превосходящими его максимальное и минимальное значения.
Инновационные разработки в области управления
Низковольтные решения
В канадском университете University of Windsor создан МЭМС-переключатель с рекордно низким напряжением управления:
- Напряжение срабатывания 0,5 В;
- Напряжение отпускания 0,3 В;
- Время срабатывания 0,5 мс;
- Ресурс около 10 000 циклов;
- Изоляция 27 дБ и потери 0,1 дБ на частотах до 3 ГГц.
Конструктивные особенности:
- Золотой актюатор толщиной 2 мкм;
- Спиральная пружина длиной 700 мкм и шириной 30 мкм;
- Множество отверстий в пластине актюатора;
- Зазор между актюатором и выходной линией 1,5 мкм;
- Общие размеры 1264×635 мкм.
Бистабильный электромагнитный переключатель
Специалисты университета Louisiana State University предложили концепцию бистабильного электромагнитного МЭМС-переключателя мощных сигналов с низким напряжением управления. Особенности конструкции:
- Копланарный волновод с подвижными земляными линиями;
- Управление с помощью силы Лоренца;
- Фиксация положения за счет сил упругости;
- Изоляция элементов с помощью диэлектрического покрытия.
Перспективные области применения
Мобильная связь
Перспективным и емким для МЭМС-переключателей является рынок мобильной связи. При переключении антенных цепей и их согласовании с выходным усилителем мощности в диапазоне частот 0,7–2,7 ГГц в смартфонах поколения 4G LTE эти переключатели обеспечивают более низкие потери, чем полупроводниковые. По оценке фирмы Cavendish Kinetics, применение МЭМС-переключателей позволяет снизить потери мощности в антенных цепях смартфонов до 1 дБ.
Специализированные применения
Есть области применения МЭМС-переключателей, где другие технологии не конкурентны:
- Автоматизированное тестовое оборудование (АТЕ):
- Требования очень низких потерь сигнала;
- Очень высокая изоляция;
- МЭМС-переключатели с ресурсом до 100 млн циклов являются единственной заменой реле.
- Широкополосные измерительные приборы:
- Анализаторы спектра;
- Анализаторы широкополосных сигналов;
- Анализаторы цепей.
- Переключательные матрицы и многопозиционные переключатели:
- Коммерческое и военное применение;
- Особенно актуально для спутниковой аппаратуры;
- Снижение веса оборудования.
- Переключательные элементы фазовращателей:
- Применение в АФАР;
- Более низкие потери сигнала по сравнению с PIN-диодами или GaAs-транзисторами.
Примеры реализации сложных устройств
Переключательная матрица 18A7NF-1
Рис. 7. Матричный переключатель сигналов 18A7NF-1 от Renaissance Electronic Corporation
Прибор разработан фирмой Renaissance Electronic Corporation в 2007 г. (рис. 7). Характеристики:
- Матрица размерностью 8х8;
- 80 МЭМС-переключателей;
- Ресурс 100 млрд циклов;
- Мощность в "холодном" режиме 33 дБм;
- Мощность в "горячем" режиме 10 дБм;
- Диапазон частот 0–2,5 ГГц;
- Вносимые потери 6 дБ;
- Изоляция 40 дБ;
- Время переключения 50 мкс;
- Напряжение управления 5 В;
- Размеры 200×190×71 мм.
Разработки RF Microtech
Рис. 8. МЭМС-переключатели от RF Microtech:
а) DPDT;
б) SP4T;
в) SPDT
Компания производит различные МЭМС-переключатели (рис. 8) и приборы на их основе:
- МЭМС-переключатели:
- DPDT: 0–40 ГГц, потери до 2 дБ, изоляция до 40 дБ;
- SP4T: 0–33 ГГц, потери до 1,2 дБ, изоляция до 30 дБ;
- SPDT: 0–35 ГГц, потери 1,3 дБ, изоляция до 35 дБ.
- Переключатели сигналов в приборном исполнении (рис. 9):
- SPDT: 0–10 ГГц, потери до 1,4 дБ, изоляция >20 дБ, мощность до 2 Вт;
- SP4T: 0–2 ГГц, потери до 2 дБ, изоляция >30 дБ, мощность до 2,5 Вт;
- SP16T: 0–10 ГГц, потери <3,8 дБ, изоляция >24 дБ.
Рис. 9. Модульные переключатели сигналов фирмы RF Microtech:
а) SPDT;
б) SP4T;
в) SP16T
Развитие МЭМС-технологий в России
В России создано несколько современных производств МЭМС в Нижнем Новгороде, Санкт-Петербурге, Курске и Новосибирске. Исследовательские работы проводятся также в некоторых вузах.
Разработки курских предприятий
Рис. 10. МЭМС-переключатель совместной разработки РАМЭМС и «Совтест АТЕ»
«Совтест АТЕ» и РАМЭМС совместно разработали три модели электростатических МЭМС-переключателей с резистивным контактом (рис. 10) для частот от 5, 30 и 75 ГГц. Особенности конструкции:
- Кремниевая подложка;
- Герметизация стеклянной крышкой;
- Отсутствие диэлектрических материалов в системе управления;
- Две пары последовательных контактов для высокой изоляции;
- Напряжение управления 5 В благодаря большой площади электродов;
- Допустимая мощность сигнала 5 Вт;
- IP3 составляет 65 дБм.
Основные частотные параметры этих переключателей приведены в табл. 2.
Таблица 2. Параметры МЭМС-переключателей разработки РАМЭМС и «Совтест АТЕ»
Рабочая частота модели, ГГц |
5 |
30 |
75 |
Изоляция, дБ (Частота, ГГц) |
50 (1) 30 (5) |
30 (10) 20 (30) |
20 (75) |
Потери, дБ (Частота, ГГц) |
0,5 (1) 1 (5) |
1 (10) 1,5 (30) |
0,5 (1) 0,7 (70) |
Разработки МИЭТ
Кафедрой микроэлектроники МИЭТ (г. Зеленоград) разработан МЭМС-переключатель со следующими характеристиками:
- Управляющее напряжение: 5, 12, 27, 60 В;
- Коммутируемый ток: 10^-6–1 А;
- Коммутируемое напряжение: 10^-2–100 В;
- Сопротивление контактов не более 0,3 Ом;
- Количество циклов коммутации не менее 10^8;
- Время срабатывания не более 5 мс;
- Сопротивление изоляции не менее 10^9 Ом.
Переключатели помещаются в металлостеклянный корпус. Серийно они не производятся, но в случае заказа предприятие может изготовить необходимую партию.
Другие производители
Изготовление МЭМС-переключателей на заказ предлагает также ЗАО «МЦКП» (Санкт-Петербург). Согласно данным прошедшего в 2015 г. МЭМС-форума, возможности производства значительно превышают спрос на изделия МЭМС-технологий в России. Потребность в МЭМС пока что может быть полностью удовлетворена работой даже одной из имеющихся фабрик.
Заключение
МЭМС-переключатели имеют в диапазоне СВЧ ряд преимуществ перед такими традиционными переключательными компонентами, как PIN-диоды и полевые транзисторы. Прежде всего, это:
- Хорошая изоляция в закрытом состоянии;
- Низкие вносимые потери в открытом состоянии;
- Высокая мощность коммутируемого сигнала;
- Низкое энергопотребление;
- Устойчивость к радиационным воздействиям;
- Невысокая стоимость в условиях массового производства;
Присущая этим приборам проблема ограниченной надежности успешно преодолевается, и уже сейчас их ресурс может составлять миллиард циклов в режиме «горячей» коммутации. Удачное сочетание свойств МЭМС-переключателей не оставляет сомнений в перспективности их применения в СВЧ-аппаратуре как коммерческого, так и специального назначения.