Революция в автомобильной памяти: SK Hynix и Samsung на пороге технологического прорыва

30 сентября 2024

Южнокорейские гиганты полупроводниковой индустрии SK Hynix и Samsung Electronics демонстрируют значительный прогресс в разработке высокоскоростной памяти для автономных транспортных средств, открывая новую эру в автомобильных технологиях.

SK Hynix, пионер в области автомобильной высокоскоростной памяти (HBM), начала поставки своей продукции третьего поколения (HBM2E) компании Waymo — дочернему предприятию Google, специализирующемуся на разработке систем автономного вождения. На текущий момент SK Hynix является единственным производителем, успешно коммерциализировавшим автомобильную HBM, и уже готовится к массовому выпуску HBM четвёртого поколения (HBM3) для автомобильного сектора.

Стремительное развитие технологий автономного вождения порождает растущий спрос на память с высокой ёмкостью и пропускной способностью. Эти характеристики критически важны для обеспечения мощных вычислений в сфере искусственного интеллекта и обработки колоссальных объёмов данных, необходимых для функционирования самоуправляемых автомобилей.

Samsung Electronics, в свою очередь, представила амбициозный план по созданию HBM седьмого поколения — HBM4E — для автомобильной промышленности. Презентация состоялась на «Форуме автомобильной электроники 2024», организованном Международной организацией по стандартизации полупроводников (JEDEC) в Сан-Хосе, США. Хотя точная дата выпуска HBM4E пока не определена, эксперты отрасли прогнозируют её появление уже к 2027 году.

Обе южнокорейские компании активно расширяют поставки HBM, изначально разработанной для серверов искусственного интеллекта, производителям автономных транспортных средств, таким как Waymo и Tesla. Вычислительные потребности различных уровней автономного вождения колоссальны: для условного автономного вождения 3-го уровня требуется мощность в 100 TOPS (триллионов операций в секунду), для продвинутого 4-го уровня — уже 2000 TOPS, а для полностью автономного 5-го уровня — впечатляющие 5000 TOPS.

Samsung Electronics акцентирует внимание на необходимости использования в автомобилях HBM с более чем пятикратным увеличением ёмкости и пропускной способности по сравнению с применяемыми сейчас энергоэффективными накопителями LPDDR4 или LPDDR5. Это обусловлено растущими требованиями к вычислительным мощностям в автономных транспортных средствах.

Конкуренция на рынке автомобильной памяти достигла небывалой остроты. По данным аналитической компании IHS, в прошлом году лидером рынка была американская Micron с долей в 44 %, в то время как Samsung Electronics занимала 32 % рынка. Однако южнокорейский гигант намерен захватить лидирующую позицию к 2025 году. Стратегические инициативы Samsung и SK Hynix по разработке и поставке передовых решений HBM являются ключевым элементом их стратегии по увеличению доли рынка и удовлетворению растущих потребностей индустрии автономных транспортных средств.

Развитие технологии HBM играет решающую роль в эволюции автономного вождения. HBM обеспечивает значительно более высокую пропускную способность и сниженное энергопотребление по сравнению с традиционными типами памяти, такими как DDR. Это делает HBM оптимальным решением для высокопроизводительных вычислительных приложений, критически важных в системах автономного вождения.

На данный момент SK Hynix занимает лидирующую позицию на рынке автомобильной HBM-памяти с коммерческим продуктом HBM2E и готовится к массовому производству HBM3. Samsung Electronics, в свою очередь, сфокусирована на разработке HBM4E, которая обещает стать революционным прорывом в отрасли.

Ожидается, что конкуренция между ключевыми игроками рынка — Micron, Samsung и SK Hynix — будет только усиливаться по мере того, как они стремятся удовлетворить растущие технологические и вычислительные потребности динамично развивающегося сектора автономных транспортных средств.