Новые достижения в производстве полупроводников: успехи Китая и Индии

1 октября 2024

В индустрии полупроводников третьего поколения наблюдается значительный прогресс, особенно в области производства 6-дюймовых пластин из таких материалов, как карбид кремния (SiC) и оксид галлия (Ga2O3). Ряд компаний в Китае и Индии достигли важных успехов в развитии этих технологий.

NEXIC: новый игрок на рынке SiC-технологий

Китайская компания NEXIC, специализирующаяся на инновациях в сфере SiC силовых устройств и модулей, объявила об успешном выпуске первой партии пластин на своем новом заводе. Предприятие, расположенное в Цзяньине (провинция Цзянсу), начало строительство в августе 2023 года, а установка оборудования запланирована на август 2024 года.

Инвестиции в проект NEXIC по производству 6-дюймовых силовых полупроводников составляют 2 миллиарда юаней. Продукция компании найдет применение в различных секторах, включая электромобили, фотоэлектрическую энергетику, железнодорожный транспорт и сети 5G. После выхода на полную мощность завод сможет производить до 1 миллиона пластин ежегодно.

Помимо этого, NEXIC развивает проект в новом городе Сидун (Уси, Китай), где планируется создание научно-исследовательской и производственной базы полупроводниковых силовых модулей третьего поколения. Инвестиции в этот проект превышают 1 миллиард юаней. Ожидается, что производство стартует в 2025 году с годовым объемом около 1,29 миллиона единиц продукции стоимостью свыше 1,5 миллиарда юаней.

Fujia Gallium: пионер в производстве пластин из оксида галлия

10 сентября компания Fujia Gallium начала строительство первой в Китае 6-дюймовой линии по выращиванию монокристаллических и эпитаксиальных пластин оксида галлия в Фуяне (Ханчжоу). Основанная в 2019 году, Fujia Gallium занимается коммерциализацией полупроводниковых материалов на основе оксида галлия со сверхширокой полосой пропускания.

Компания фокусируется на выращивании монокристаллов оксида галлия, а также на разработке, производстве и продаже подложек и эпитаксиальных пластин из этого материала. Продукция Fujia Gallium находит применение в силовых устройствах, микроволновых радиочастотных компонентах и оптоэлектронных детекторах.

На данный момент Fujia Gallium — единственная компания в Китае, способная выращивать 6-дюймовые монокристаллы оксида галлия и проводить их эпитаксию. Этот проект закладывает фундамент для развития производства передовых полупроводниковых материалов в стране.

RIR Power Electronics: индийский прорыв в SiC-технологиях

4 сентября индийская компания RIR Power Electronics Limited объявила о завершении строительства завода по производству полупроводниковых приборов из карбида кремния в штате Одиша. Общий объем инвестиций в проект составил 5,1 миллиарда индийских рупий.

RIR, являясь дочерней компанией американской Silicon Power Group, специализируется на производстве силовых электронных компонентов. Ассортимент продукции RIR включает устройства малой и большой мощности, а также IGBT-модули, предназначенные для энергетики, транспорта, возобновляемых источников энергии и оборонной промышленности.

Проект по созданию завода был анонсирован в июле 2023 года, когда Silicon Power Group объявила о планах по выпуску 6-дюймовых SiC-подложек в Индии. В октябре 2023 года RIR получила одобрение правительства штата Одиша на инвестиции в размере 5,108 миллиарда индийских рупий. Ожидается, что завод будет полностью введен в эксплуатацию к 2025 году.

SiCSem: еще один шаг Индии в развитии SiC-технологий

Помимо RIR, на индийском рынке полупроводников активно развивается компания SiCSem Private Limited из Ченнаи. В июне она объявила о планах по созданию завода для производства, сборки, тестирования и упаковки изделий из карбида кремния в штате Одиша.

15 июня SiCSem подписала соглашение о сотрудничестве с Индийским технологическим институтом Бхубанесвара (IIT-BBS) для проведения совместных исследований в области составных полупроводников. Их первый совместный проект направлен на локализацию процесса выращивания кристаллов SiC в IIT-BBS с акцентом на массовое производство 6- и 8-дюймовых пластин SiC. Предполагаемый объем инвестиций в этот проект составляет 450 миллионов индийских рупий (около 38 миллионов юаней).

Эти достижения демонстрируют активное развитие индустрии полупроводников третьего поколения в Азии, где Китай и Индия стремятся занять лидирующие позиции в производстве передовых материалов для электроники будущего.