США вложат $825 млн в ускоритель EUV для развития полупроводниковых технологий

7 ноября 2024

Проект будет реализован в рамках десятилетнего соглашения с NY CREATES и направлен на ускорение достижений в области EUV-литографии — ключевой технологии для производства микрочипов с техпроцессом менее 7 нм. Эти инвестиции нацелены на укрепление позиций США в сфере инноваций в полупроводниковой отрасли.

Литография на базе EUV является важнейшим этапом создания чипов нового поколения, позволяя достигать высокой плотности производства на фоне приближения отрасли к пределам закона Мура. На объекте в Олбани планируется внедрение стандартных EUV-систем с числовой апертурой (NA) к 2025 году, а к 2026 году — установок EUV с высокой NA, что станет стимулом для развития искусственного интеллекта, смартфонов и вычислительных технологий.

Министр торговли США Джина Раймондо назвала установку EUV «исторической инвестицией», подчеркнув важность сохранения лидирующей роли страны в международных исследованиях и разработках в области полупроводников.

В рамках 10-летнего партнерства Natcast и NY CREATES будут управлять объектом, способствуя взаимодействию между промышленными, научными и государственными партнёрами, а также обеспечивая подготовку кадров для создания устойчивой экосистемы профессионалов. В ближайшие месяцы ожидаются анонсы о создании новых объектов в рамках программы CHIPS.