Китайский рынок SiC-чипов ожидает значительное снижение цен

7 августа 2024

В ближайшие два года на китайском рынке карбид-кремниевых (SiC) чипов ожидается существенное снижение цен – до 30%. Этот прогноз связан с растущим числом местных производителей, получающих сертификацию для поставок компонентов в индустрию электромобилей, а также с расширением производственных мощностей.

Эксперты отрасли полагают, что к концу 2025 года китайские производители SiC-компонентов начнут играть значительную роль на рынке электромобилей, что может нарушить многолетнее доминирование международных поставщиков в этом сегменте.

Карбид кремния считается более подходящим материалом для производства компонентов электромобилей и систем хранения энергии по сравнению с традиционным кремнием. Несмотря на то, что китайские компании начали разработку SiC-технологий позже своих международных конкурентов и все еще находятся на ранних стадиях массового производства, развитие отрасли в стране идет быстрыми темпами.

На данный момент китайский рынок, особенно в сегменте электромобилей, все еще сильно зависит от импорта SiC-компонентов. Однако ситуация меняется: многие местные производители выходят на уровень массового производства, что обещает трансформировать ландшафт рынка SiC в ближайшем будущем.

Уже сейчас такие крупные производители электромобилей, как Tesla, BYD, Li Auto, NIO и Xiaomi, используют SiC-компоненты во многих своих популярных моделях.

Ожидается, что 2025 год станет переломным моментом для китайской SiC-индустрии. По мере увеличения объемов местного производства, повышения выхода годной продукции и снижения производственных затрат, китайские SiC силовые компоненты будут быстро завоевывать рынок электромобилей. Более того, прогнозируется, что к 2025 году производство эпитаксиальных пластин SiC в Китае сможет полностью удовлетворить внутренний спрос.

Среди ведущих китайских производителей SiC-компонентов выделяются такие компании, как SICC, United Nova Technology (UNT) и Silan Microelectronics. Все они демонстрируют значительный рост в сегменте SiC-бизнеса.

Например, SICC существенно нарастила производственные мощности и повысила коэффициент использования оборудования на своем заводе Lingang в Шанхае, что привело к значительному росту продаж SiC-продукции. Компания отмечает сильный рост заказов с рынка.

UNT также увеличила свои производственные мощности по выпуску SiC-компонентов. В первой половине 2024 года поставки SiC MOSFET этой компании выросли на впечатляющие 329%. UNT отмечает высокий спрос со стороны производителей электромобилей и потребительской электроники, что поддерживает продажи продукции, производимой на 12-дюймовых пластинах.

Рынок электромобилей остается крупнейшим потребителем SiC-устройств. В первой половине 2024 года наблюдалось снижение затрат на производство электромобилей с использованием SiC-компонентов на 15-20%. При этом цены на сами SiC-компоненты снизились до уровня, сопоставимого с ценами на традиционные IGBT-транзисторы.

Ожидается, что падение цен ускорит внедрение SiC-компонентов в различные отрасли. Эксперты прогнозируют, что к 2025 году, когда увеличатся производственные мощности по выпуску 8-дюймовых пластин, цены могут упасть еще на 30%.

Таким образом, китайская индустрия SiC-компонентов находится на пороге значительных изменений. Снижение цен и рост производственных мощностей местных компаний могут существенно изменить расстановку сил на глобальном рынке, особенно в быстрорастущем сегменте электромобилей.