Infineon представила новые энергоэффективные блоки питания на Si, SiC и GaN для центров обработки данных с искусственным интеллектом
![Infineon представила новые энергоэффективные блоки питания на Si, SiC и GaN для центров обработки данных с искусственным интеллектом Infineon представила новые энергоэффективные блоки питания на Si, SiC и GaN для центров обработки данных с искусственным интеллектом](/upload/iblock/b46/22ahpc4p092uoem6hjdv33danyx6z3w2/9063.jpg)
Немецкий производитель полупроводников Infineon Technologies анонсировал новые высокоэффективные блоки питания для центров обработки данных, задействованных в приложениях искусственного интеллекта. Инновационные решения интегрируют передовые технологии кремния (Si), карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN), что позволяет значительно повысить энергоэффективность.
Компания Infineon готовится представить блоки питания повышенной мощности – 8 кВт и 12 кВт, используя современные полупроводниковые материалы. Это позволит обеспечить более высокую производительность при меньшем энергопотреблении, что критически важно для центров обработки больших данных и систем искусственного интеллекта с высокими вычислительными нагрузками. Infineon отмечает стремительный рост энергопотребления в дата-центрах, обусловленный расширением использования высокопроизводительных GPU для вычислительных задач ИИ. Увеличение количества серверных приложений и самих дата-центров значительно повысило спрос на мощные источники питания от 800 Вт до 5,5 кВт и выше, что и вызвало необходимость в таких продуктах.
Современные топовые GPU требуют до 1 кВт энергии на чип, а к 2030 году этот показатель может вырасти до 2 кВт и более, что приведет к дальнейшему росту энергопотребления в центрах обработки данных. По прогнозам Международного энергетического агентства (МЭА), к 2030 году на дата-центры будет приходиться до 7% мирового энергопотребления, сопоставимого с нынешним годовым потреблением электроэнергии в Индии. В связи с этим разработка энергоэффективных решений имеет решающее значение.
Подход Infineon заключается в дальнейшей интеграции нитрида галлия (GaN) с уже используемыми кремнием (Si) и карбидом кремния (SiC). В высокомощных серверных продуктах обычно применяется комбинация Si и SiC, но максимальная достижимая плотность мощности составляет лишь 32 Вт/дюйм³. Когда требования к плотности мощности возрастают до 95 Вт/дюйм³, необходимо увеличение частоты переключения. Именно здесь GaN может обеспечить более высокую энергоэффективность.
В настоящее время лишь крупные IDM-компании, такие как Infineon, STMicroelectronics и Texas Instruments, обладают технологиями по работе с кремнием (Si), карбидом кремния (SiC) и нитридом галлия (GaN). Они постоянно наращивают производственные мощности и технические возможности в области SiC и GaN. Но пока неизвестно, будут ли STMicroelectronics и Texas Instruments, как и Infineon, интегрировать эти три материала в своих решениях для источников питания в будущем.
Infineon сообщила о заключении выгодных контрактов с поставщиками процессоров для искусственного интеллекта. Компания рассчитывает, что в ближайшие годы объем этого сегмента бизнеса достигнет 1 миллиарда евро при двузначных темпах роста. Infineon предлагает широкий спектр продуктов – технологии цифрового управления питанием, интегрированные микросхемы для источников питания AC-DC в электросетях, преобразователей DC-DC для дата-центров и блоков питания процессоров. Кроме того, Infineon является экспертом в области вертикальных архитектур источников питания.