Жесткое противостояние Samsung и SK Hynix в сегменте памяти HBM: предпосылки и подробности
Samsung Electronics и SK Hynix ведут ожесточенную борьбу на рынке памяти с высокой пропускной способностью (HBM), ориентируясь на компанию Nvidia – лидера в сфере полупроводниковых решений для систем искусственного интеллекта (ИИ). Недавняя активизация взаимодействия Nvidia с двумя южнокорейскими производителями расценивается как попытка подстегнуть ценовую и технологическую конкуренцию.
Эксперты указывают, что частые контакты Nvidia с поставщиками HBM при отсутствии четкой информации о реальных заказах вызывают в отрасли подозрения в намеренном разжигании соперничества между двумя производителями HBM.
Ранее глава Nvidia Дженсен Хуанг упоминал о тестировании 12-слойного продукта HBM3E от Samsung, но конкретных данных пока нет. Однако в апреле 2024 года Хуанг неожиданно встретился с председателем SK Group Чхве Тхэ Воном в Кремниевой долине, что трактуется как попытка подтолкнуть Samsung к ускорению производства и снижению цен.
Отраслевые аналитики отмечают, что с 2023 года цена HBM3 выросла более чем в пять раз, а предстоящее поколение HBM3E, вероятно, будет еще дороже. Для Nvidia это может обернуться чрезмерными затратами на исследования и производство, что является одной из причин стимулирования конкуренции между южнокорейскими производителями микросхем.
По сообщениям южнокорейской Economic Daily, Samsung недавно мобилизовала «400 экспертов» для формирования целевой группы из 100 человек, которая займется повышением выхода годных 12-слойной памяти HBM3E с целью пройти сертификационные испытания Nvidia к маю. Еще более 300 специалистов привлечены к разработке HBM4 с планами завершить исследования к концу 2024 года и начать официальные поставки Nvidia в 2025 году.
Ранее SK Hynix анонсировала предоставление образцов 12-слойной HBM3E в мае 2024 года, а серийное производство запланировано на третий квартал 2024 года. SK Hynix также представила дорожную карту по массовому выпуску 12-слойной HBM4 в 2025 году и поставкам 16-слойных продуктов в 2026 году.
С тех пор как Samsung в феврале 2024 года объявила о разработке 12-слойной HBM3E, опередив конкурентов, непрерывно ходят слухи о скором начале производства. Отрасль в целом сходится во мнении о массовом выпуске во втором квартале 2024 года, раньше заявленного SK Hynix третьего квартала (июль-сентябрь). Привлечение 400 экспертов подчеркивает решимость Samsung завоевать звание первой компании, освоившей серийное производство 12-слойной HBM3E.
В прошлом Samsung отставала от SK Hynix в бизнесе HBM, поскольку в 2019 году Samsung распустила свое подразделение HBM, оставив SK Hynix единственным стабильным производителем HBM3, когда в 2023 году крупные технологические компании начали инвестировать в разработку генеративного ИИ.
В настоящее время SK Hynix занимает более 90% рынка высокодоходной HBM3 и имеет прочное партнерство с Nvidia, в то время как Samsung в основном поставляет более дешевую HBM2 и HBM2E. Поэтому для Samsung критически важно лидировать в массовом производстве 12-слойной HBM3E, чтобы завоевать рынок и повысить прибыльность.
Сообщается, что новое поколение ИИ-ускорителей Nvidia, апгрейды B200 и GB200, может включать более восьми 12-слойных чипов HBM3E. Samsung считает, что при равных условиях у нее есть серьезные шансы на успех, чему также способствует намерение Nvidia расширить круг поставщиков HBM.
Некоторые аналитики указывают, что Samsung начала серийное производство 8-слойной HBM3E примерно на месяц позже SK Hynix, и в настоящее время объемы производства ниже. В 2024 году, когда спрос на 12-слойную HBM3E не столь выражен, стабильный выход годных, а не ранний старт массового производства, имеет решающее значение для обеспечения прибыльности и технологической конкурентоспособности.