Компания Hynix начинает серийное производство инновационной памяти HBM3E
Hynix – вторая компания в мире, сумевшая наладить массовый выпуск памяти стандарта HBM3E. В соответствии с представленными спецификациями, чипы корейского бренда смогут передавать информацию со скоростью до 9.2 гигабит в секунду, ограничение пропускной способности окажется на отметке в 1.18 Тб/с. Это куда более высокие значения, нежели у чипов предшествующей версии HBM3.
Модули памяти выпускаются по особой методике MR-RUF, снижающей объемы выделяющейся тепловой энергии на 10 процентов. Строится она на использовании специального вещества, разделяющего слои DRAM. Помимо лучшей защиты от перегрева, инновация делает модули более компактными.
Объем памяти модулей доходит до 24 гигабайт, что позволяет использовать их даже в наиболее требовательных системах и приложениях. Например, компания NVIDIA планирует их применение в сочетании с ускорителями Blackwell, ориентированными, в том числе, и на комплексы искусственного интеллекта.