Vishay налаживает выпуск симметричных МОП-транзисторов с улучшенным КПД
Компания Vishay Intertechnology провела презентацию усовершенствованного двойного МОП-транзистора, конструкция которого сформирована двумя элементами класса TrenchFET четвертого поколения, работающими на высоком и низком напряжении. Специалистам удалось разместить пару элементов в миниатюрном корпусе, габариты которого составляют всего 3.3 на 3.3 миллиметра.
МОП-транзисторы под индексом Vishay Siliconix SiZF4800LDT оптимально подходят для использования в производственных и телекоммуникационных комплексах, помогают увеличить мощность, КПД, исключить риск перегрева, упростить конструкцию оборудования, сэкономить место на печатной плате.
Модули идеально подходят для сборки различного оборудования, радиопередатчиков и приемников, сварочных аппаратов, электрического инструмента, бытового и профессионального.
В транзисторах реализована технология “flip-chip”, благодаря которой показатель теплового сопротивления становится на 54 процента ниже, чем у конкурентных разработок. Это способствует максимальной стабильности работы, неизменности электрических характеристик вне зависимости от внешних условий. Проведена сертификация по нормативам RoHS, транзисторы на 100% безопасны, при их производстве не используются галогены и другие опасные вещества.