Сотрудничество Synopsys и Samsung по созданию 3-нм GAA мобильного процессора для следующего поколения Galaxy
![Сотрудничество Synopsys и Samsung по созданию 3-нм GAA мобильного процессора для следующего поколения Galaxy Сотрудничество Synopsys и Samsung по созданию 3-нм GAA мобильного процессора для следующего поколения Galaxy](/upload/iblock/811/x8qtycytdtdp3204b7nmtiswfld0gdrs/30054.webp)
Компания Synopsys, лидер в области автоматизированного проектирования, завершила разработку высокопроизводительной мобильной системы на кристалле (SoC) с применением 3-нм технологического процесса Gate-All-Around (GAA) для полупроводникового производства Samsung Electronics. Данный чип предназначен для использования во флагманских смартфонах Samsung Galaxy в 2025 году.
Согласно отраслевым источникам, цитируемым южнокорейским изданием Chosun Biz, Samsung в сотрудничестве с Synopsys завершила проектирование и изготовление опытных образцов 3-нм мобильных SoC на основе технологии GAA. Массовое производство данного чипа запланировано на вторую половину 2024 года, а его интеграция в смартфоны Samsung ожидается в начале 2025 года.
Это будет первым случаем, когда Samsung организует массовое производство высокопроизводительных мобильных процессоров с использованием 3-нм технологического процесса GAA. Компания запустила серийный выпуск своего 3-нм процесса GAA (SF3E) в июне 2022 года, однако данная технология преимущественно применялась для производства чипов для майнинга криптовалют при ограниченном объеме заказов.
Мобильные процессоры приложений (AP), являющиеся ядром смартфонов, могут составлять до 20% от общей стоимости материалов телефона. Поскольку для производства самых передовых AP требуется 3-нм процесс, их цена неизбежно выше, как показывает пример 3-нм техпроцесса TSMC, стоимость которого составляет около 20 000 долларов за пластину. Если Samsung сможет успешно наладить массовое производство собственных высокопроизводительных AP с использованием 3-нм процесса и обеспечить отличные характеристики, это значительно укрепит ее бизнес по контрактному производству полупроводниковых пластин и системных полупроводниковых интегральных схем.
Однако отраслевые эксперты скептически оценивают производительность 3-нм мобильных AP Samsung. Представители компании заявляют, что, хотя 3-нм мобильный AP обеспечивает примерно 10-процентный прирост производительности по сравнению с предыдущим поколением, точные данные о количестве транзисторов не разглашаются. В связи с растущим рынком устройств с искусственным интеллектом отрасль особенно заинтересована в том, удалось ли улучшить энергоэффективность, но этот вопрос пока остается без ответа.
Принимая во внимание, что в чипе A17 для новых iPhone от TSMC количество транзисторов увеличится с 16 до 19 миллиардов, а вычислительная производительность возрастет на 20%, отраслевые эксперты полагают, что 3-нм мобильные SoC Samsung должны продемонстрировать как минимум 20-процентный прирост вычислительной мощности и энергоэффективности. Согласно сообщениям, компания Qualcomm планирует выпустить в 2024 году мобильную платформу «Snapdragon 8 Gen4» (предварительное название) с использованием 3-нм процесса и рассматривает возможность сотрудничества с TSMC или Samsung.
Samsung только завершила проектирование 3-нм мобильного AP, конкретные данные о производительности серийных чипов пока недоступны, отмечают представители компании. Тем не менее они заверяют, что по сравнению с предыдущим поколением будут достигнуты значительные улучшения, подчеркивая, что компания остается в рамках графика массового производства во второй половине 2024 года.