
Широкий список позиций

Тестирование

Доставка по РФ
Характеристики
N, Dual, 1200 V, 600 A, ±20V, 2, AG-62MM, Series, 1.2 kV, 1.75 V, Dual, 600 A, 400 nA, 20 V, +150 C, -40 C, Chassis, Tray, FF600R12KT4 SP005342974, IGBT Modules, IGBT Modules, IGBT Silicon Modules, IGBTs, Si
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon dual fast trench IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. Highest power density
Документы
DOC011176393
488,5 кб
Наличие
На сайте
Выберите нужный товар в каталоге, нажмите на кнопку "Отправить запрос" или "Запросить счет".
Заполните электронную форму заказа.
Мы свяжемся с Вами в течение 4-х часов в рабочее время.
По телефону
+7 495 118-24-31 c 10.00 до 18.00 по Москве
Каждый звонок важен для нас. Наши менеджеры помогут Вам оформить заказ и проконсультируют по всем вопросам.
По электронной почте
В письме укажите наименования интересующих Вас товаров, а также свои имя, фамилию и телефон. Наши менеджеры свяжутся с Вами при первой же возможности.
Через телеграм бот
Оплата производится банковским переводом на расчетный счет компании для юридических лиц или наличными курьеру для физических лиц. Возможна оплата картой по ссылке, после подтверждения заказа менеджером.