Артикул:
SIHG47N60EF-GE3
Широкий список позиций
Тестирование
Доставка по РФ
|
Continuous Drain Current (Id)
|
47A |
|
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
|
67mΩ@10V, 24A |
|
Drain Source Voltage (Vdss)
|
600V |
|
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
|
4V@250uA |
|
Input Capacitance (Ciss@Vds)
|
4.854nF@100V |
|
Power Dissipation (Pd)
|
379W |
|
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
|
225nC@10V |
Semiconductors\Discrete Semiconductors
The Vishay through-hole N-channel TO-247AC-3 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 600V and a maximum gate-source voltage of 30V.
Документы
DOC011159996
197,1 кб
Наличие
На сайте
Выберите нужный товар в каталоге, нажмите на кнопку "Отправить запрос" или "Запросить счет".
Заполните электронную форму заказа.
Мы свяжемся с Вами в течение 4-х часов в рабочее время.
По телефону
+7 (495) 205-74-02 c 10.00 до 18.00 по Москве
Каждый звонок важен для нас. Наши менеджеры помогут Вам оформить заказ и проконсультируют по всем вопросам.
По электронной почте
В письме укажите наименования интересующих Вас товаров, а также свои имя, фамилию и телефон. Наши менеджеры свяжутся с Вами при первой же возможности.
Через телеграм бот
Оплата производится банковским переводом на расчетный счет компании для юридических лиц или наличными курьеру для физических лиц. Возможна оплата картой по ссылке, после подтверждения заказа менеджером.
Широкий список позиций
Более 15 000 наименований, с ценами от производителей.
Тестирование
Сохранение свойств изделий, от завода производителя.
Доставка по РФ
Курьерская доставка в любую точку Российской Федерации.
Нужна консультация?
Наши специалисты ответят на любой интересующий вопрос
Задать вопрос