SK Hynix удвоит производство DRAM следующего поколения
Сообщается, что SK Hynix планирует сделать завод M17 базой для производства DRAM. Такая информация появилась после объявления представителей компании об инвестировании предприятия M15X DRAM в Чхонгиу. Это город Южной Кореи.
Это делается с целью начать производство до завершения строительства полупроводникового кластера Йонгинь, для обеспечения его достаточной мощности. Ожидается, что этот комплекс будет выпускать DRAM следующего поколения, модули памяти с высокой пропускной способностью (HBM) для приложений на базе искусственного интеллекта.
По данным отраслевых источников, на которые ссылается южнокорейское СМИ Money Today, SK Hynix начала завозить строительные материалы. Инсайдеры сообщают, что уже ведется подготовка к закладке фундамента завода M17, расположенного в Технополисе Чхонджу. Новый завод будет примыкать к уже эксплуатируемому производственному комплексу компании.
Изначально компания SK Hynix планировала инвестировать 4,3 триллиона вон или 3,12 млрд. долларов в строительство предприятий по производству флэш-памяти NAND. Они должны были начать работать в 2022 году. Но реализацию этого плана отложили. Такое решение приняли в июне 2022 года из-за неблагоприятных экономических условий, рост цен на сырье.
Завод M15X, охватывающий 63 тыс. производственных циклов, расположенный рядом с существующим заводом M15, будет работать в универсальном режиме. Он позволит выпускать модули памяти HBM. Технология их производства включает процесс литографии в экстремальном ультрафиолете (EUV). Завершение строительства завода запланировано на ноябрь 2025 года. Ожидается, что массовое производство будет запущено в третьем квартале 2026 года.
В конце апреля 2024 года генеральный директор SK Hynix Квак Но Чжун сообщил о планах представить 12-слойные образцы HBM3E в мае 2024 года. Также он заявил о намерении начать их массовое производство в третьем квартале 2024 года. По словам Но Чжуна, это делается, чтобы удовлетворить растущий спрос на чипы HBM.
Инсайдеры отрасли отметили, что решение SK Hynix о строительстве нового завода M17 DRAM направлено на обустройство дополнительных производственных мощностей. Они понадобятся после завершения строительства полупроводникового кластера Yongin во второй половине 2027 года. Он располагается на обширной территории, на которой разместится 140 тыс. производственных участков и 120 тыс. инфраструктурных объектов.
Кластер Yongin, охватывающий обширную территорию в 1,26 миллиона пингов, выделит 560 000 пингов компании SK Hynix за ее производственную деятельность. Ожидается, что поставщики сырья, комплектующих и оборудования займут в общей сложности 140 000 участков, а земли под инфраструктуру — 120 000 участков.
Первый завод SK Hynix в кластере Йонъин планируется ввести в эксплуатацию в марте 2025 года. Полное завершение строительства запланировано на май 2027 года. Кроме того, компания инвестирует около 900 млрд. вон в строительство мини-фабрики. Она будет производить сырье и компоненты для производства модулей памяти. С ее помощью будет создан замкнутый производственный цикл.
Компания SK Hynix также инвестирует в строительство предприятий на территории США. В апреле 2024 года ее представители объявили о планах построить в Индиане завод по производству современной упаковки для памяти, работающей на базе искусственного интеллекта. Массовое производство планируется запустить во второй половине 2028.
Вице-президент по производственным технологиям SK Hynix Ким Ён Сик подчеркнул, что предприятие, которое планируется построить в США, оптимизирует процессы взаимодействия с заказчиками. Ожидается, что с его помощью повысится конкурентная способность компании в сфере искусственного интеллекта. Новый завод в Индиане позволит наладить сотрудничество с близлежащими университетами и исследовательскими центрами для развития технологической базы.